Русский | English

2014-11-29

Разделение полупроводниковых пластин на кристаллы

Процесс разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы является одним из видов технологии, применяемой в промышленной электронике. Кристаллы представляют собой отдельные полупроводниковые элементы: транзисторы, транзисторные сборки, диоды, - применяющиеся для изготовления микрочипов, печатных плат, микропроцессоров. Одним словом - всего, что связано с микроэлектроникой. Полупроводниковая пластина – это заготовка, выполненная в виде матрицы, составляющей набор элементов. Из-за небольших размеров процесс разделения пластины без применения специальных технологий невозможен.

Распространенными в промышленности технологиями являются скрайбирование и сквозное разрезание.
Скрайбирование представляет собой процесс разрезания пластины любым механическим способом, с нанесение рисок перпендикулярных друг другу при помощи лазерного луча, алмазных дисков и резцов. Механический способ скрайбирования применяется с использованием алмазных резцов, напоминающих трехгранную пирамиду. Этим элементом проводят надрезы в пластине, и далее, с применением механического воздействия (ультразвуком, термоударом, или приложив изгибающий момент), проводят разделение полупроводниковой матрицы на монокристалы.
Для скрайбирования применяются лазерные технологии – лазерный луч. Пластину передвигают относительно мощного сфокусированного лазерного излучения. Кристаллы под воздействием луча начинают испаряться и образуются бороздки. Далее описанным выше воздействием проходит отделение кристаллов.
В отличие от механического надреза, лазерное воздействие не образует при резке сколов и микротрещин, при появлении которых увеличивается число бракованных монокристаллов.


Раздел статей

Разделы




Фото-объявления




    

Статистика

  
   Всего 31218 объявлений.
Сегодня ничего не было добавлено.
  
       




© www.lukko.ru 2024.
Все права защищены
Соглашение.


 


Загружаем